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[单选题]集成电路的主要生产阶段分为:圆片制备->前端工艺->后端工艺->划片->封装，其中器件之间的导线连接是在第__步完成的。

[多选题]下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有

[多选题]下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是

[单选题]亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成___关系。

[单选题]当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将____，亚阈值漏电流将_____。

[单选题]数字集成电路中的噪声来源主要有片内的___噪声，和来自片外的____噪声，前者与信号摆幅___，后者与信号摆幅____。

[单选题]一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）

[单选题]一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）

[判断题]判断：复杂逻辑门的传播延时与它的输入图形无关。

[单选题]真实逻辑门的延时与输入信号的翻转时间__,与逻辑门的负载电容___。

[单选题]下列因素哪个不会影响一种给定逻辑门的本征延时（）（注：不是归一化本征延时）

[判断题]一个组合逻辑电路性能优化的目标是使得输入到输出的每条路径的延时都最短。

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