下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有

NMOS管增大功函数差绝对值，会降低阈值电压；栅氧化层厚度变薄会使得单位面积的栅氧化层电容增大，强反型所需要充电的电荷是不变的，电容增大，对应的电容电压（即阈值电压）就会减小；氧化层表面正电荷增加了Vgs=0时衬底中的负电荷，可以降低阈值电压，相应地，当表面电荷量减小，阈值电压就会升高；在沟道区注入多余的p型离子，增加单位面积的电荷密度，将使QB的绝对值增大（注意NMOS的QB是负数），阈值电压升高，因此正确答案是C和D。这道题目也可以从课程中给出的VT公式（本节附件讲义第13页）直接得出，需要注意公式中各个符号在NMOS管中的正负号。