国土资源

地震

地貌

海洋

自然地理常识

西域地名

中国古代地名

人文地理常识

邯郸

上海

中国行政区划

世界地理

湖北地理

广西地理

中国宗教名胜

贵州地理

中国地理知识

地质年代

东亚名胜

地理名胜

水文

气候

环境保护

林业

自然现象

生物理论

自然生态

微生物

哺乳动物

鱼类

鸟类

动物生理

动物知识

植物

江西历史人物

东北历史人物

浙江历史人物

历史名人

外国文学家

文学家

红军人物

军事名人

经济人物

宗教人物

社科人物

在线名词解释大全 - 数字超大规模集成电路设计 - 详细

一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）

按照理想的手工分析模型，由于反相器中每个MOS管的漏端寄生电容（即输出节点上的本征负载）与W成正比，而MOS管的等效导通电阻与W成反比，而传播延时与RC的积成正比，所以当只考虑本征负载时，改变晶体管尺寸RC的积是不变的，传播延时近似不变，这也是反相器本征延时的重要性质。

热门搜索：

相关推荐

沟道电容负载寄生自身晶体管延时近似宽度大于

扫描二维码
关注公众平台

京ICP备2022028318号-3