在换路瞬间，下列说法正确的是（）。

含有电感的电路在换路瞬间可能出现高电压，这一定是要避免的。

当动态电路发生换路时一定会发生过渡过程。

1）下面选项中是用集成电路实现电路系统的好处的是：___

iPod发行版允许消费者随身携带他们完整的音乐库，格式也不依赖于脆弱和能源密集型的旋转圆盘。

晶体管M4和晶体管M___可以合并成一个。

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集成电路的主要生产阶段分为:圆片制备->前端工艺->后端工艺->划片->封装，其中器件之间的导线连接是在第__步完成的。

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下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有

NMOS管增大功函数差绝对值，会降低阈值电压；栅氧化层厚度变薄会使得单位面积的栅氧化层电容增大，强反型所需要充电的电荷是不变的，电容增大，对应的电容电压（即阈值电压）就会减小；氧化层表面正电荷增加了Vgs=0时衬底中的负电荷，可以降低阈值电...

下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是

亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成___关系。

当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将____，亚阈值漏电流将_____。

数字集成电路中的噪声来源主要有片内的___噪声，和来自片外的____噪声，前者与信号摆幅___，后者与信号摆幅____。

一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远大于它自身的寄生电容（即不考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）

按照理想的手工分析模型，由于反相器中每个MOS管的漏端寄生电容（即输出节点上的本征负载）与W成正比，而MOS管的等效导通电阻与W成反比，而传播延时与RC的积成正比，所以当只考虑本征负载时，改变晶体管尺寸RC的积是不变的，传播延时近似不变，这...

一个CMOS反相器它所驱动的外部负载电容远小于它自身的寄生电容（即只考虑反相器自身的寄生负载电容），当维持两个晶体管的沟道长度不变，把它们的沟道宽度（W值）同时放大2倍，那么它的传播延时将近似（）

按照理想的手工分析模型，由于反相器中每个MOS管的漏端寄生电容（即输出节点上的本征负载）与W成正比，而MOS管的等效导通电阻与W成反比，而传播延时与RC的积成正比，所以当只考虑本征负载时，改变晶体管尺寸RC的积是不变的，传播延时近似不变，这...

判断：复杂逻辑门的传播延时与它的输入图形无关。

真实逻辑门的延时与输入信号的翻转时间__,与逻辑门的负载电容___。

真实情况中逻辑门的延时与输入信号的翻转时间和外部负载电容之间存在着非线性的关系，因此工业界使用的EDA工具中采用非线性查找表模型（NLDM）来计算单元延时。我们所讲授的简单模型只适用于手工分析。