在元器件列表中，选择“AT89C51”单片机，然后将光标移动到原理图编辑区，在任意位置（），就可以出现一个跟着光标浮动的元器件原理图符号。

2.80C51单片机结构中中断系统有（）个中断源，其中包括两个优先级嵌套中断。

2.下面叙述不正确的是（）。

使用计数器T1工作于方式2，作为定时时，则TMOD=（）。

2．80C51的中断系统有（）个中断源。

当CPU检测到P3.2引脚上出现有效的中断信号时，中断标志IE0(TCON.1位)（），向CPU申请中断。

使用定时器T1的方式2,计数，则TMOD=（）。

SCON是一个特殊功能寄存器，用于设定串行接口的工作方式，当SM0、SM1=（）为工作方式2。

2.1602型LCD字符显示位置的确定方法规定为（）。

（2）电阻应变片与半导体应变片的测量原理是一样的。

电阻应变片基于电阻的应变效应，半导体应变片基于半导体的压阻效应，但二者都是随压力变化相应电阻值发生变化。

一均匀带电直线长为$L$，线电荷密度为$lambda$。试求直线的延长线上距$L$中点为$r(r>L/2)$处的场强

https://qn-next.xuetangx.com/15693841463048.png/>、习题答案详解 class="import-img"

（接上题）(2)该球面的半径为:

两共轴的导体圆筒的内、外筒半径分别为$R_1$和$R_2$（$R_{2}$<$2R_1$）。其间有两层均匀电介质，分界面半径为$r_0$。内层介质相对介电常量为$epsilon_{r1}$，外层介质相对介电常量为$epsilon_{r2}$，$epsilon_{r2}=epsilon_{r1}/2$。两层介质的击穿场强都是$E_{max}$，试问（1）当电压升高时，哪层介质先击穿？

习题答案详解

（接上题）（2）两筒间能加的最大电势差为多大？

https://qn-next.xuetangx.com/15693841562351.png/>、习题答案详解 class="import-img"

（接上题）(2)图(b)$P$点的磁感应强度$B$的大小和方向：